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Datasheet下载- 型号： PMEG2010BEA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010BEA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010BEA,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2010BEA,115封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A（DC） SOD-323。您可以下载PMEG2010BEA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG2010BEA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010BEA,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的低压肖特基势垒整流二极管，采用SOD-323超小型表面贴装封装，具有低正向压降（典型值仅0.39 V @ 1 A）、快速开关特性及1 A连续正向电流、20 V反向重复峰值电压（VRRM）等关键参数。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：广泛用于智能手机、TWS耳机、智能手表等对空间和功耗敏感的终端，为USB接口供电、电池充电路径管理（如防倒灌保护）、LDO前级整流等提供高效低压降整流； 2. DC-DC转换器输出整流：在同步整流受限或需简化设计的低压（≤5 V）BUCK电路中，作为续流/输出整流二极管，提升轻载效率； 3. 信号与电源轨隔离：在多电源系统（如主备电源切换、I/O电平隔离）中实现单向导通与反向阻断，防止电源回灌； 4. ESD敏感电路保护辅助：凭借低结电容（典型60 pF）和快速响应，可配合TVS器件用于高速数据线（如I²C、USB D+/D−）的二级钳位与整流保护。 该器件无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），EMI小，且符合AEC-Q200（车载级）可靠性标准，亦适用于汽车电子中的信息娱乐系统、车身控制模块等低压直流供电场景。其微型封装（1.7×1.3×0.9 mm）特别适合高密度PCB布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010BEA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010BEA,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 500mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 80pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-7389-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 封装/箱体 | SOD-323 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 200 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.5 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 90°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG2010BEA T/R |
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