Datasheet下载- 型号： PMEG2005EPK,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2005EPK,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2005EPK,315价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2005EPK,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMEG2005EPK,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG2005EPK,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2005EPK,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压、低功耗肖特基势垒整流二极管，采用超小型无引脚 SOD128（DFN1006-2）封装，具有 20 V 反向电压（VRRM）、500 mA 平均整流电流（IF(AV)）及典型正向压降仅 310 mV（IF = 500 mA），并具备低反向漏电流（IR < 2 µA @ VR = 20 V）和快速开关特性。 其主要应用场景集中于便携式与空间受限的高效电源管理领域： ✅ 电池供电设备：如智能手机、TWS耳机、智能手表等，用于USB/充电路径中的防反接保护或电源路径管理（Power Path），利用其低压降减少能量损耗、延长续航； ✅ DC-DC转换器输出整流：在同步整流受限的小功率Buck或LDO后置电路中，作为续流/整流元件，提升轻载效率； ✅ 低功耗传感器节点与IoT终端：在能量采集系统（如光伏微源、热电模块）或纽扣电池供电的无线模块（BLE/Wi-Fi MCU）中，实现微安级待机下的可靠单向导通与反向隔离； ✅ ESD敏感接口保护：SOD128封装具备良好热性能与PCB布局灵活性，常配合TVS器件用于USB、I²C、GPIO等信号线的极性保护与钳位。 该器件通过AEC-Q101认证（汽车级可靠性），亦适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电等对尺寸、能效与可靠性要求严苛的场景。综合而言，PMEG2005EPK,315 是面向微型化、高能效电子系统的理想低压整流解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD1608肖特基二极管与整流器 20V 0.5A low VF MEGA Barrier Rectifier |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2005EPK,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2005EPK,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 410mV @ 500mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 35pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 130µA @ 10V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | 2-DFN1608D （1.6x0.8） |
| 其它名称 | 568-10768-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 3ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-XDFN |
| 封装/箱体 | DFN1608D-2 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大二极管电容 | 35 pF |
| 最大功率耗散 | 1470 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向连续电流 | 0.5 A |
| 热阻 | 20°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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