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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2005ELD,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2005ELD,315价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2005ELD,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMEG2005ELD,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2005ELD,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2005ELD,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款低压、低功耗肖特基势垒整流二极管,采用小型无铅 SOD-128(FlatPower)封装。其典型正向压降低至约 0.36 V(IF = 0.5 A),反向耐压为 20 V,反向漏电流小(IR < 2 µA @ VR = 20 V),开关速度快、无反向恢复电荷,适用于高效率、空间受限的便携式电子设备。 主要应用场景包括: ✅ USB供电路径管理——用于USB Type-C或Micro-USB接口的电源输入端,实现防反接保护与电源优先级切换(如电池与适配器供电自动选择); ✅ 便携式设备电源轨隔离——在智能手机、TWS耳机、智能手表等产品中,隔离不同电源域(如主SoC与传感器模块),防止电源倒灌、提升系统可靠性; ✅ 电池充电电路保护——置于充电IC输出端,防止电池向充电电路反向放电,延长待机时间; ✅ DC-DC转换器续流二极管——在升压/降压型微型PMIC中替代传统二极管,降低导通损耗,提升轻载效率; ✅ IoT传感器节点与可穿戴设备——凭借超小尺寸(1.7 × 1.3 × 0.95 mm)和低功耗特性,满足对体积与能效严苛要求的应用。 该器件符合AEC-Q101(汽车级)标准,亦可用于工业及消费类高可靠性场景,但非专为汽车动力系统设计。整体突出优势在于“低压、低压降、小尺寸、高可靠性”,是现代低功耗嵌入式系统电源管理的关键基础元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOD882D肖特基二极管与整流器 Schottky Diode |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2005ELD,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2005ELD,315 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 500mV @ 500mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 30pF @ 1V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 10V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD882D |
| 其它名称 | 568-7529-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | 7ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-882D |
| 封装/箱体 | SOD-882 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 恢复时间 | 7 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大二极管电容 | 24 pF |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 30 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 450 mV |
| 正向连续电流 | 0.5 A |
| 热阻 | * |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 500mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |