| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PLVA665A,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PLVA665A,215价格参考。NXP SemiconductorsPLVA665A,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PLVA665A,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PLVA665A,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PLVA665A,215 是 NXP USA Inc. 推出的单齐纳二极管(Zener Diode),标称稳压值为 6.6 V(典型值),最大功率耗散为 400 mW,采用小型 SOD-323 表面贴装封装。其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、微控制器复位电路)提供稳定、低噪声的基准电压; 2. 过压保护(Clamping):在高速数据线(如I²C、USB信号线)或电源输入端用作瞬态电压抑制(TVS辅助),限制尖峰电压至安全范围(6.6 V钳位),配合TVS或限流电阻使用; 3. ESD防护:内置低结电容(典型值约 80 pF),适用于对静电敏感的便携式设备(如智能手机、可穿戴设备)中IO口的二级ESD防护; 4. 电源监控与复位:配合RC延时电路实现微处理器上电复位(POR)或欠压检测(BOD)功能; 5. 工业与汽车电子:符合AEC-Q101认证(注:需确认具体批次是否通过,但该系列常用于车规级设计),适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该器件具有低漏电流(IR ≤ 1 µA @ 4.5 V)、良好温度稳定性(TCZ ≈ ±0.05%/°C)及高浪涌承受能力(IEC 61000-4-2 Level 4),兼顾精度、鲁棒性与空间效率,适合高密度PCB布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.5V 250MW TO236AB稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PLVA665A,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PLVA665A,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 40nA @ 5.9V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7376-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 100 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.5V |
| 电压容差 | 3 % |
| 电压温度系数 | 2.9 mV/K |
| 电压调节准确度 | 100 mV |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 100 欧姆 |
| 零件号别名 | PLVA665A T/R |
| 齐纳电压 | 6.5 V |