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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PLVA662A,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PLVA662A,215价格参考。NXP SemiconductorsPLVA662A,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PLVA662A,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PLVA662A,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PLVA662A,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款单通道齐纳二极管(ESD保护型齐纳二极管),主要用于低压直流电路的精密电压钳位与静电放电(ESD)防护。其典型齐纳击穿电压为6.6 V(容差±5%),低动态阻抗,具备IEC 61000-4-2 Level 4(±15 kV空气/±8 kV接触)的高鲁棒性ESD防护能力。 主要应用场景包括: 1. 高速数据接口保护:如USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY等低压信号线的端口级ESD防护,防止瞬态过压损坏后端MCU或收发器; 2. 电源轨稳压与过压钳位:在3.3 V或5 V供电系统中,为敏感IC(如传感器、RF模块、ADC参考源)提供精准电压箝位,抑制电源扰动; 3. 汽车电子辅助电路:符合AEC-Q101标准(注:需确认具体批次认证),适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中非主干低压信号路径的ESD防护; 4. 便携式设备接口保护:智能手机、平板电脑、可穿戴设备的按键、SIM卡槽、TF卡槽等易受人体静电影响的I/O节点。 该器件采用超小型SOD-323封装(1.7×1.25×0.95 mm),适合高密度PCB布局,且具有低泄漏电流(<100 nA @ 5 V)和快速响应时间(<1 ns),兼顾保护性能与信号完整性。需注意其功率耗散有限(Ppp ≈ 200 W,tp = 8/20 μs),不适用于大能量浪涌场合,应配合TVS或保险丝用于多级防护设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.2V 250MW TO236AB稳压二极管 Avalanche 6.2V 250mA |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PLVA662A,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PLVA662A,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 5.6V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6817-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 100 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.2V |
| 电压容差 | 3 % |
| 电压温度系数 | 2.65 mV/K |
| 电压调节准确度 | 100 mV |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 100 欧姆 |
| 零件号别名 | PLVA662A T/R |
| 齐纳电压 | 6.2 V |