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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT8N06LT,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT8N06LT,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT8N06LT,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHT8N06LT,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHT8N06LT,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PHT8N06LT,135 的晶体管由 NXP USA Inc.(恩智浦半导体) 生产,属于 MOSFET - 单 类别。该器件是一款 N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于多种电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器等,因其具备较低的导通电阻(Rds(on)),有助于提高能效并减少发热。 2. 负载开关与电源控制:由于其快速开关特性和良好的热稳定性,常用于控制电机、继电器或LED照明等负载设备的开启与关闭。 3. 工业自动化与控制系统:在PLC(可编程逻辑控制器)、工业驱动器和传感器模块中作为高效开关元件使用。 4. 消费类电子产品:如电视、机顶盒、电源适配器等产品中的电源转换与管理电路。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车灯控制、电动助力转向系统等对可靠性要求较高的场景。 综上,PHT8N06LT,135凭借其高可靠性、低导通电阻和优良的热性能,在电源管理和功率控制领域具有广泛的应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHT8N06LT,135TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | PHT8N06LT,135 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1800 mW |
Pd-功率耗散 | 1.8 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 13 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 13 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.2nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 5A,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-73 |
其它名称 | 568-7369-2 |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | /T3 PHT8N06LT |