【PHL5830AL,115/规格参数】厂家_PHL5830AL,115中文资料_价格

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型号： PHL5830AL,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PHL5830AL,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PHL5830AL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供PHL5830AL,115价格参考以及NXP SemiconductorsPHL5830AL,115封装/规格参数等产品信息。你可以下载PHL5830AL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHL5830AL,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PHL5830AL,115 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用小型无铅 SOT-666 封装（尺寸仅 2.1×2.0×0.95 mm），具有低导通电阻（R_DS(on) 典型值 30 mΩ @ V_GS = 4.5 V）、快速开关特性及强抗雪崩能力。

其主要应用场景包括：  
✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路和 LED 驱动，得益于小封装与低功耗优势；  
✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在 1–5 A 中低电流应用）；  
✅ 电机驱动与继电器替代：用于微型直流电机（如摄像头对焦马达、风扇）、电磁阀或固态开关控制，支持逻辑电平（3.3 V/5 V）直接驱动，简化驱动电路；  
✅ USB Type-C 和 PD 接口保护：集成于过流/反向电压防护电路中，利用其快速响应与低热耗散特性保障端口安全；  
✅ 工业传感器节点与 IoT 模块：在空间受限的无线传感节点中实现高效电源通断控制与信号隔离。

该器件工作结温范围宽（−55°C 至 +150°C），符合 AEC-Q101（汽车级）标准，亦适用于车载信息娱乐系统等严苛环境。需注意其最大漏源电压为 30 V，额定连续漏极电流为 4.7 A（T_c=25°C），设计时应合理布局散热并预留电压/电流裕量。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 8HVSON
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PHL5830AL,115
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	-
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	-
供应商器件封装	*
其它名称	568-9612-6
功率-最大值	-
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	-