Datasheet下载- 型号： PHD71NQ03LT,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHD71NQ03LT,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHD71NQ03LT,118价格参考￥询价-￥询价。NXP SemiconductorsPHD71NQ03LT,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHD71NQ03LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHD71NQ03LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PHD71NQ03LT,118是一款采用LFPAK56（Power-SO8）封装的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.2 mΩ @ VGS = 10 V，4.5 mΩ @ 4.5 V）、高连续漏极电流（ID = 71 A，TC = 25°C）及优良热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，提升转换效率； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动模块（如打印机、电动工具、家电风扇控制），支持PWM高频开关； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、平板、智能终端中用作电池保护、热插拔控制或主电源通断开关，得益于其低阈值电压（VGS(th) 1.0–2.5 V）和快速开关特性； - LED驱动与照明系统：用于LED恒流驱动或调光控制，实现高效、低发热的电流调节； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准，可用于车载座椅调节、车窗升降、雨刮器等12 V/24 V车载负载控制（非安全关键应用）。 该器件具备强抗雪崩能力、高可靠性及无铅RoHS合规性，适合空间受限、需高功率密度与散热效率的中高电流开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHD71NQ03LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-11061-1 |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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