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产品简介:
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PHB152NQ03LTA,118 是 Nexperia(安世半导体)推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用小型表面贴装封装(LFPAK56,即 Power-SO8),具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 3.8 mΩ @ Vgs=10V,4.5 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=120A,脉冲可达480A)及优异热性能。 典型应用场景包括: ✅ 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST转换器的主开关或续流管; ✅ 电机驱动:适用于无刷直流(BLDC)电机控制器、电动工具、风扇及小型家电的H桥或半桥驱动级; ✅ 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、平板、基站等设备中用作电池保护、热插拔(Hot-swap)、电源轨切换及e-Fuse功能; ✅ 汽车电子(符合AEC-Q101):可用于车载DC/DC模块、LED车灯驱动、车身控制单元(BCU)中的功率开关(非安全关键系统); ✅ 固态继电器与电子保险丝:凭借快速开关特性与低损耗,替代机械继电器或传统保险方案。 其逻辑电平驱动特性(Vgs(th) 1.0–2.1V)支持3.3V/5V MCU直接驱动,简化外围电路;LFPAK56封装兼顾大电流与小尺寸,利于高密度PCB布局。需注意:实际应用中应合理设计PCB铜箔散热、栅极驱动阻抗及SOA(安全工作区)保护,避免雪崩失效或热失控。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PHB152NQ03LTA,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3140pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2186-6 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |