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- 型号： PHB110NQ08T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB110NQ08T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB110NQ08T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB110NQ08T,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB110NQ08T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB110NQ08T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PHB110NQ08T,118是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET（单管），采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.9 mΩ @ Vgs=10 V，4.3 mΩ @ Vgs=4.5 V）、高电流能力（ID=110 A，脉冲可达440 A）及优异热性能。其主要应用场景包括： - 汽车电子：符合AEC-Q101标准，广泛用于车载电源管理，如DC-DC转换器（BUCK/BOOST拓扑）、电机驱动（车窗、座椅、雨刮等12V/24V有刷电机控制）、LED车灯调光与开关、电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关。 - 工业电源与服务器：用作同步整流开关、次级侧开关、热插拔保护、ORing二极管替代方案，提升效率并降低温升。 - 消费类高功率设备：如大功率USB PD快充适配器、电动工具电池包保护板、智能家电（变频空调、洗衣机驱动模块）中的高效功率开关。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU直接驱动），具备强雪崩耐量、低开关损耗和坚固的体二极管，适合高频、高可靠性、空间受限的中高压（80V额定）应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB110NQ08T,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 113.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-6591-6 |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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