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  • 型号: PHB101NQ04T,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PHB101NQ04T,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB101NQ04T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB101NQ04T,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHB101NQ04T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHB101NQ04T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PHB101NQ04T,118 是 Nexperia(安世半导体)推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装。其典型参数包括:VDS=40V、ID=101A(TC=25°C)、RDS(on)低至 1.0 mΩ(VGS=10V),具备优异的导通性能与热稳定性。

该器件主要适用于高效率、高电流的中低压功率开关场景,典型应用包括:  
✅ 电动工具与园林设备驱动:用于BLDC电机的三相逆变桥臂下管/上管,支持高频PWM驱动与快速开关;  
✅ 服务器/通信电源的同步整流:在DC-DC转换器(如POL模块、VRM)中替代肖特基二极管,显著降低导通损耗;  
✅ 工业电机控制与PLC输出级:驱动直流负载(如电磁阀、继电器、LED阵列),具备强抗雪崩能力(UIS额定);  
✅ 电池管理系统(BMS)中的充放电保护回路:配合保护IC实现过流/短路快速切断(得益于低RDS(on)和高ID能力);  
✅ 汽车电子辅助系统(符合AEC-Q101认证):如车身控制模块(BCM)、车窗升降、座椅调节等12V/24V负载开关。

其LFPAK56封装兼具SO-8兼容性与优异散热性能,适合紧凑型PCB布局;逻辑电平驱动(VGS(th)低至1.0–2.5V)可直接由MCU或驱动IC控制,简化外围电路。综上,PHB101NQ04T,118 是面向高可靠性、高功率密度中低压开关应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PHB101NQ04T,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2020pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

36.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-2182-6
PHB101NQ04T118

功率-最大值

157W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

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