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产品简介:
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PHB101NQ04T,118 是 Nexperia(安世半导体)推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装。其典型参数包括:VDS=40V、ID=101A(TC=25°C)、RDS(on)低至 1.0 mΩ(VGS=10V),具备优异的导通性能与热稳定性。 该器件主要适用于高效率、高电流的中低压功率开关场景,典型应用包括: ✅ 电动工具与园林设备驱动:用于BLDC电机的三相逆变桥臂下管/上管,支持高频PWM驱动与快速开关; ✅ 服务器/通信电源的同步整流:在DC-DC转换器(如POL模块、VRM)中替代肖特基二极管,显著降低导通损耗; ✅ 工业电机控制与PLC输出级:驱动直流负载(如电磁阀、继电器、LED阵列),具备强抗雪崩能力(UIS额定); ✅ 电池管理系统(BMS)中的充放电保护回路:配合保护IC实现过流/短路快速切断(得益于低RDS(on)和高ID能力); ✅ 汽车电子辅助系统(符合AEC-Q101认证):如车身控制模块(BCM)、车窗升降、座椅调节等12V/24V负载开关。 其LFPAK56封装兼具SO-8兼容性与优异散热性能,适合紧凑型PCB布局;逻辑电平驱动(VGS(th)低至1.0–2.5V)可直接由MCU或驱动IC控制,简化外围电路。综上,PHB101NQ04T,118 是面向高可靠性、高功率密度中低压开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PHB101NQ04T,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2020pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2182-6 |
| 功率-最大值 | 157W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |