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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PH6530AL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH6530AL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH6530AL,115价格参考。NXP SemiconductorsPH6530AL,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH6530AL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH6530AL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH6530AL,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款小信号 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-323（SC-70）超小型封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 30 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.5 nC）和低阈值电压（VGS(th) 典型值 1.0 V），适合低压、低功耗、高频开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压转换器中替代肖特基二极管，提升效率（尤其在 1–5 V 输入场景）； ✅ 逻辑电平接口与信号切换：兼容 1.8 V / 3.3 V MCU GPIO 直接驱动，用于传感器使能、I²C 总线电平转换或外设复位控制； ✅ 微型马达/蜂鸣器驱动：驱动小型直流电机或压电蜂鸣器，利用其快速开关特性（fsw 可达数百 kHz）； ✅ 高密度 PCB 设计中的空间敏感节点：SOT-323 封装（1.25 × 2.1 mm）适用于对尺寸严苛的消费类终端产品。 注意：该器件额定 VDS = 30 V，ID = 3.5 A（脉冲），不适用于大电流或高压主功率路径，需配合合理散热与驱动设计。综上，PH6530AL,115 主要面向高效、紧凑、低压嵌入式系统的智能开关与电源优化需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH6530AL,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-7366-6 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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