Datasheet下载- 型号： PH3120L,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH3120L,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH3120L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH3120L,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH3120L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH3120L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH3120L,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（单个封装），采用小型无铅 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 48 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.9 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路或 LED 驱动，得益于其低压驱动能力（支持 2.5–5 V 逻辑电平直接控制）和小尺寸； 2. DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在 1–3 A 中低电流场合）； 3. 电机驱动与继电器替代：用于微型直流电机（如风扇、振动马达）的 PWM 控制，或固态开关替代机械继电器，实现静音、长寿命控制； 4. 接口与I/O端口保护：在微控制器（如ARM Cortex-M系列）GPIO扩展电路中作电平转换、反向电流阻断或热插拔保护； 5. LED背光与指示灯控制：驱动多路LED串，支持PWM调光，低导通压降低功耗。 该器件额定电压为30 V，连续漏极电流达3.5 A（Tamb=25°C），具备ESD防护（HBM >2 kV）和符合AEC-Q101可靠性标准（部分批次），亦适用于汽车电子辅助系统（如车身控制模块中的非安全关键负载）。整体以高能效、小占位与易用性，适配空间受限、电池供电的智能终端应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH3120L,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4457pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.65 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-2178-6 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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