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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PH1225AL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH1225AL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH1225AL,115价格参考。NXP SemiconductorsPH1225AL,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH1225AL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH1225AL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH1225AL,115 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用小型SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 120 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为25 V，连续漏极电流达2.8 A（Ta = 25°C），适合低压、中等电流的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、USB接口负载开关或电池保护电路； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流——在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中作为低损耗续流开关，提升能效； ✅ 电机驱动与负载控制——用于微型直流电机（如风扇、振动马达）、电磁阀或继电器驱动的H桥或单路开关模块； ✅ 逻辑电平兼容接口电路——因支持3.3 V/5 V TTL/CMOS直接驱动，常用于MCU（如TI MSP430、C2000）或FPGA输出端的功率扩展，实现数字信号到功率负载的可靠切换。 该器件具备ESD防护（HBM > 2 kV）、无铅且符合RoHS标准，适用于空间受限、注重能效与成本的消费类及工业嵌入式系统。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘以保障热性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH1225AL,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6380pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 934064141115 |
| 功率-最大值 | 121W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1023， 4-LFPAK |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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