Datasheet下载- 型号： PESD5V0X1BQ,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PESD5V0X1BQ,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD5V0X1BQ,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD5V0X1BQ,115价格参考。NXP SemiconductorsPESD5V0X1BQ,115封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载PESD5V0X1BQ,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PESD5V0X1BQ,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PESD5V0X1BQ,115 是 NXP USA Inc. 推出的超低电容单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高速数据接口的静电放电（ESD）防护设计。其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的高速信号线保护，如USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY、SD卡接口、SIM卡槽及摄像头模组数据线（如CSI接口）。该器件具有仅0.45pF的超低结电容和0.5Ω的极低动态电阻，可最大限度减少信号衰减与失真，保障高速信号完整性；同时提供±30kV接触放电（IEC 61000-4-2 Level 4）的强ESD防护能力。封装采用超小型SOD-323（1.7×1.3×0.9mm），节省PCB空间，适用于高密度、轻薄化终端产品。其工作电压为5.0V（VRWM），击穿电压约6.2V，钳位电压低（IPP=1A时约12V），能快速响应纳秒级瞬变，有效防止ESD脉冲损坏后端敏感IC（如SoC、PMIC、图像传感器等）。广泛应用于消费电子、工业人机界面（HMI）、车载信息娱乐系统（IVI）中需兼顾高速性能与高可靠性ESD防护的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM SOT663 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PESD5V0X1BQ,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | 0.9pF @ 1MHz |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24757 |
| 供应商器件封装 | SOT-663 |
| 其它名称 | 568-4675-1 |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-663 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C （TA） |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.8V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V（最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | - |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
推荐商品
PESD5V0X1BQ,115 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商