Datasheet下载- 型号： JANTX1N6114US
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JANTX1N6114US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANTX1N6114US价格参考。MICRO-SEMIJANTX1N6114US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JANTX1N6114US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JANTX1N6114US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JANTX1N6114US 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款 TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路中的过电压保护。 该器件属于军用级（JANTX 封装等级），具有高可靠性和稳定性，适用于对性能和可靠性要求较高的应用场景。其主要功能是在电路中吸收瞬态高压脉冲（如静电放电 ESD、雷击浪涌、电感负载开关等引起的尖峰电压），从而保护后续的敏感电子元件不被损坏。 典型应用场景包括： 1. 军工与航空航天设备：由于其军用级封装和高性能，常用于飞机、卫星、雷达、导弹等军事和航天系统中。 2. 通信设备：用于保护通信接口（如 RS-485、CAN、以太网等）免受静电和浪涌损害。 3. 工业控制系统：在工业自动化系统中，保护 PLC、传感器、执行器等关键部件。 4. 电源模块：用于直流电源输入端口的瞬态电压抑制，保障电源系统的稳定运行。 5. 测试与测量仪器：保护高精度测量设备免受外部电压冲击影响。 总之，JANTX1N6114US 主要应用于需要高可靠性和强抗干扰能力的高端电子系统中，尤其适合恶劣电磁环境下的电压保护需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 16.7VWM BSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JANTX1N6114US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2530 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 19.86V |
| 电压-反向关态（典型值） | 16.7V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 32.03V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 15.58A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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