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  • 型号: PESD3V3S1UB,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PESD3V3S1UB,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD3V3S1UB,115价格参考¥0.26-¥0.26。NXP SemiconductorsPESD3V3S1UB,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PESD3V3S1UB,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PESD3V3S1UB,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 3.3VWM 20VC SOD523TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 3.3V ESD PROTECTION

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PESD3V3S1UB,115-

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产品型号

PESD3V3S1UB,115

PCN封装

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不同频率时的电容

207pF @ 1MHz

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=43http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24757

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产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

SOD-523

其它名称

568-4044-2
934058509115
PESD3V3S1UB T/R
PESD3V3S1UB T/R-ND
PESD3V3S1UB115

击穿电压

5.6 V

功率-峰值脉冲

330W

包装

带卷 (TR)

单向通道

1

双向通道

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-79,SOD-523

封装/箱体

SOD-523

尺寸

1.25 mm W x 1.65 mm L x 0.65 mm H

峰值浪涌电流

18 A

峰值脉冲功率耗散

330 W

工作温度

-65°C ~ 150°C (TA)

工作电压

3.3 V

工厂包装数量

3000

应用

通用

最大工作温度

+ 105 C

最小工作温度

- 65 C

极性

Unidirectional

标准包装

3,000

电压-击穿(最小值)

5.2V

电压-反向关态(典型值)

3.3V (最小值)

电压-箝位(最大值)@Ipp

20V

电容

207 pF

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

18A (8/20µs)

电源线路保护

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

PESDXS1UB

钳位电压

20 V

零件号别名

PESD3V3S1UB T/R

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