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  • 型号: PESD24VL1BA,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PESD24VL1BA,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD24VL1BA,115价格参考。NXP SemiconductorsPESD24VL1BA,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PESD24VL1BA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PESD24VL1BA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PESD24VL1BA,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单通道、低电容(典型值 12 pF)、双向 TVS(瞬态电压抑制)二极管,专为高速数据线的静电放电(ESD)防护设计。其击穿电压约 26.5 V,钳位电压低(IEC 61000-4-2 接触放电 ±8 kV 时 ≤45 V),响应时间小于 1 ns。

主要应用场景包括:  
- USB 2.0 接口保护:用于手机、平板、笔记本等设备的 USB 数据线(D+/D−)端口,抵御人体模型(HBM)及 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 冲击;  
- HDMI、MIPI D-PHY 等高速差分信号线防护:凭借低电容特性,避免信号完整性受损,适用于摄像头模组、显示接口等;  
- 便携式电子设备的 I/O 端口防护:如耳机插孔、SIM 卡槽、按键、传感器接口等易受静电侵入的部位;  
- 工业与汽车信息娱乐系统:在车载 USB 充电/数据接口中提供可靠 ESD 防护(符合 AEC-Q200 可靠性认证,具备一定车规适用性)。

该器件采用超小型 SOD323 封装(1.7 × 1.3 × 0.9 mm),节省 PCB 空间,支持回流焊,适用于高密度、小型化终端产品。需注意:其额定反向关断电压为 24 V,不适用于高压电源线防护,仅限信号级瞬态抑制。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 24VWM 70VC SOD323TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 24V BIDIRECTION ESD

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PESD24VL1BA,115-

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产品型号

PESD24VL1BA,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同频率时的电容

11pF @ 1MHz

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=43http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24757

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产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

SOD-323

其它名称

568-4034-2
934058424115
PESD24VL1BA T/R
PESD24VL1BA T/R-ND

击穿电压

27.8 V

功率-峰值脉冲

200W

包装

带卷 (TR)

单向通道

-

双向通道

1

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-76,SOD-323

封装/箱体

SOD-323

尺寸

1.35 mm W x 1.8 mm L x 1.1 mm H

峰值浪涌电流

3 A

峰值脉冲功率耗散

200 W

工作温度

-65°C ~ 150°C (TA)

工作电压

24 V

工厂包装数量

3000

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

极性

Bidirectional

标准包装

3,000

电压-击穿(最小值)

25.4V

电压-反向关态(典型值)

24V (最小值)

电压-箝位(最大值)@Ipp

70V

电容

11 pF

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

3A (8/20µs)

电源线路保护

无

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

PESDxL1BA

钳位电压

26 V

零件号别名

PESD24VL1BA T/R

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