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- 型号： PEMH30,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH30,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH30,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH30,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMH30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH30,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口与LED、继电器、小功率MOSFET等外设之间的信号缓冲与驱动，简化电路设计； - LED驱动与指示灯控制：凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC = 10 mA）和稳定开关特性，适用于多路LED恒流/开关控制； - 电源管理中的使能/复位信号调理：用于DC-DC转换器或LDO的EN/SS引脚控制，提供可靠电平翻转与噪声抑制； - 工业与消费类电子中的多路开关应用：如键盘扫描、传感器信号选通、小型电机方向控制（配合H桥驱动逻辑）等； - 替代传统分立偏置BJT方案：节省PCB面积、降低BOM成本与装配复杂度，提升生产一致性与可靠性。 该器件采用SOT-666封装（超小型6引脚），支持-65°C 至 +150°C工作温度范围，具备AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于汽车电子非安全关键模块（如车身控制、照明）。注意：不适用于高频率（>100 MHz）或大功率（IC > 100 mA）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMH30,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934059926115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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