Datasheet下载- 型号： PEMH16,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH16,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH16,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH16,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMH16,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH16,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH16,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含R1/R2），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，含两个独立的NPN数字晶体管（双通道）。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO口与LED、继电器、蜂鸣器等外设之间的信号缓冲与驱动，简化外围偏置电路设计。 - LED指示灯控制：因集成基极-发射极和基极-地电阻，可直接由3.3V/5V逻辑电平驱动，实现低功耗、高可靠LED开关控制，广泛用于消费电子面板、工业HMI状态指示。 - 小功率开关应用：适用于≤100mA负载的开关场景，如USB设备使能控制、传感器电源通断、I²C总线电平提升（配合上拉）等。 - 替代传统分立偏置方案：节省PCB面积与BOM成本，提升生产良率与一致性，常见于空间受限的便携设备（如TWS耳机充电仓、智能手环主板）。 注意：该器件不适用于线性放大或大电流/高电压场景（VCEO=50V，ICmax=100mA），设计时需关注功耗（Ptot=300mW）及温度降额。数据手册建议在环境温度≤85℃下使用以确保可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMH16,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058929115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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