Datasheet下载- 型号： PEMD30,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD30,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD30,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMD30,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD30,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD30,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMD30,315 是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了一个带内置偏置电阻的 NPN 晶体管。该器件采用小型 SOT-23 封装，适合空间受限的高密度电路设计。 PEMD30,315 主要应用于便携式电子设备和消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等。其内置偏置电阻简化了外围电路设计，无需外接基极电阻，降低了元件数量和 PCB 占用面积，提高了生产良率与可靠性。 典型应用场景包括信号开关、逻辑电平转换、LED 驱动、小功率继电器或负载控制、音频开关以及电源管理中的启停控制等。由于其快速开关特性和稳定的直流偏置性能，也广泛用于数字控制接口电路中，实现微控制器与高电压/大电流负载之间的隔离驱动。 此外，该器件具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，适用于工业控制模块、传感器接口和汽车电子中的非动力系统（如车载信息娱乐系统），在恶劣工作环境下仍能保持可靠运行。 综上所述，PEMD30,315 凭借其集成化设计、小尺寸和高可靠性，特别适合对空间、成本和设计简化有较高要求的低功率开关与驱动应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMD30,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934059928315 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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