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- 型号： PEMD19,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD19,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD19,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD19,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD19,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD19,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD19,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 10 kΩ，R₂ = 10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电阻。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA 或逻辑器件与继电器、LED、小功率MOSFET等外设之间的信号缓冲与电平适配，简化电路设计，提升响应速度与可靠性。 2. LED 驱动电路：适用于中低电流（IC ≤ 100 mA）LED指示灯或段式数码管的恒流/开关驱动，预偏置结构确保晶体管快速饱和导通，降低功耗与发热。 3. 电源管理中的使能/复位控制：在DC-DC转换器或LDO稳压电路中，用作使能（EN）信号的反相或同相开关控制，实现系统级电源时序管理。 4. 传感器信号调理前端：配合霍尔传感器、光电开关等数字输出型传感器，作为信号整形与隔离放大单元，提高抗干扰能力。 5. 消费电子与工业控制板卡：广泛应用于打印机、家电主控板、PLC模块等空间受限场合，凭借SOT-666封装（超小型、6引脚）节省PCB面积，并提升组装良率。 该器件具备高增益（hFE ≥ 160）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.1 V @ IC = 10 mA）及ESD防护（HBM ≥ 2 kV），适合中低频开关应用（fT ≈ 180 MHz），不适用于高频放大或线性模拟应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMD19,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058924115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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