Datasheet下载- 型号： PEMD17,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD17,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD17,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD17,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD17,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD17,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD17,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，每个均集成基极-发射极电阻（R₁）和基极-集电极反馈电阻（R₂），实现免外部偏置设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如 ARM、PIC、ESP32）GPIO 与 5V/12V 外设（继电器、LED、蜂鸣器）之间的电平匹配与电流放大； 2. 小功率开关控制：驱动小型继电器、LED 阵列、指示灯或低功耗电磁阀等负载（最大连续集电极电流 IC = 100 mA，VCEO = 50 V）； 3. 信号调理与反相器电路：利用其内置电阻网络，可直接构成施密特触发器输入级或简单反相缓冲器，减少外围元件数量； 4. 工业与消费电子板级应用：广泛用于打印机、家电主控板、电源管理模块、传感器信号调理电路中，提升设计紧凑性与可靠性； 5. 替代传统分立偏置 BJT 方案：节省 PCB 面积、降低 BOM 成本及装配复杂度，适合高密度、成本敏感型设计。 该器件采用 SOT-666 小型封装，支持无铅回流焊，符合 RoHS 标准，工作温度范围为 −65 °C 至 +150 °C，具备良好热稳定性和开关一致性。需注意：不适用于高频放大或大功率开关场景（如电机驱动、开关电源主开关）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMD17,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058922115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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