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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ4.3B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ4.3B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ4.3B,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDZ4.3B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ4.3B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDZ4.3B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款表面贴装(SOD-323 封装)齐纳二极管,标称稳压值为 4.3 V(容差 ±5%,典型值),最大功率 250 mW,具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与参考:为传感器电路、ADC/DAC 基准源或低功耗微控制器(如 LPC 系列)提供稳定 4.3 V 参考电压; 2. 过压保护与钳位:在 I/O 接口(如 UART、I²C 总线)中与限流电阻配合,将瞬态电压钳位于 4.3 V 左右,防止后级 ESD 敏感器件(如 MCU GPIO)损坏; 3. 电源稳压/辅助稳压:在低压、小电流场合(如电池供电设备的 LDO 后级微调或待机电源轨)实现简易稳压; 4. 信号电平转换与限幅:用于模拟信号调理电路中限制信号幅度,防止运放输入饱和; 5. 嵌入式系统保护:广泛应用于 NXP 自家 MCU(如 i.MX RT、LPC)的开发板及工业控制模块中,作为成本敏感型、空间受限场景下的可靠稳压/保护元件。 该器件符合 AEC-Q200(部分批次),适用于消费电子、工业自动化、汽车电子(非安全关键子系统)及物联网终端等对可靠性与小型化有要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 400MW SOD323稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ4.3B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ4.3B,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-6452-2 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.3V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 2.5 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ4.3B T/R |
| 齐纳电压 | 4.325 V |
| 齐纳电流 | 200 mA |