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Datasheet下载- 型号： PDZ33B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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PDZ33B,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ33B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ33B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ33B,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 33V 400mW ±2% 表面贴装 SOD-323。您可以下载PDZ33B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDZ33B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDZ33B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为 33 V（容差约 ±5%），最大功率为 400 mW，采用小型 SOD-323 表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC 参考源或微控制器复位电路提供稳定 33 V 基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位电源线或信号线上的瞬态高压（如 ESD 或浪涌），防止后级 IC 损坏； 3. 电源反馈环路：用于简易线性稳压器（如 78xx 系列辅助供电）或光耦反馈电路中，实现输出电压监测与调节； 4. 电平转换与箝位：在模拟信号调理电路中限制信号幅值，避免运放输入超范围； 5. 工业与消费电子：常见于智能电表、LED 驱动电源、家电控制板、IoT 模块等对成本和尺寸敏感、且无需高精度/大电流稳压的场合。 需注意：该器件属通用型齐纳管，动态阻抗较高、温度系数一般（约 +5.5 mV/°C），不适用于高精度或高温稳定性要求严苛场景；设计时应确保工作电流在 1–10 mA 区间以兼顾稳压性能与功耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 400MW SOD323稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ33B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ33B,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 25V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-11260-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 29.7 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 40 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ33B T/R |
| 齐纳电压 | 32.97 V |
| 齐纳电流 | 200 mA |
