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  • 型号: 1N4685 (DO35)
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N4685 (DO35)由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4685 (DO35)价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N4685 (DO35)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N4685 (DO35)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4685 (DO35) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N4685是Microsemi Corporation生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别,采用DO35封装。其主要应用场景包括:

1. 电压稳压:  
   1N4685齐纳二极管常用于电路中提供稳定的参考电压。通过在反向击穿区工作,它可以将输出电压维持在一个恒定值,适用于低功率的稳压电路。

2. 过压保护:  
   在敏感电子设备中,1N4685可用于限制输入或输出电压,防止过高电压损坏后续电路元件。例如,在电源输入端加入齐纳二极管可以有效吸收瞬时电压尖峰。

3. 信号电平调整:  
   在信号处理电路中,1N4685能够将输入信号的幅度限制在一定范围内,避免信号幅度过大导致失真或损坏后级电路。

4. 基准电压源:  
   齐纳二极管可作为简单且低成本的基准电压源,为运算放大器、比较器等模拟电路提供稳定的参考电压。

5. 浪涌抑制:  
   在电源或信号线路上,1N4685可以用来抑制由于开关或其他原因引起的电压浪涌,保护电路免受损害。

6. 温度补偿电路:  
   结合其他温度敏感元件,1N4685可用于构建温度补偿电路,以抵消因温度变化引起的性能漂移。

需要注意的是,1N4685的额定功率较小(通常为约200mW),因此它更适合应用于低功耗场景。此外,在实际设计中,应根据具体参数(如齐纳电压、工作电流等)选择合适的外围元件以确保电路正常运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3.6V 500MW DO-35

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125997-lds-0240

产品图片

产品型号

1N4685 (DO35)

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

7.5µA @ 2V

供应商器件封装

DO-35

功率-最大值

500mW

包装

散装

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

工作温度

-65°C ~ 175°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.6V

阻抗(最大值)(Zzt)

-

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