ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > PDZ7.5B,115
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PDZ7.5B,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ7.5B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ7.5B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ7.5B,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 7.5V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ7.5B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ7.5B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PDZ7.5B,115 是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别,广泛应用于电压参考和稳压电路中。其标称齐纳电压为7.5V,具有低动态阻抗和良好的热稳定性,适用于需要精确稳定电压的场合。 该器件常用于消费类电子产品,如手机充电器、适配器和电源管理模块中,作为过压保护或基准电压源;在工业控制设备中,用于信号调理电路和传感器供电,确保系统工作稳定;也可在通信设备中提供电平转换和电压钳位功能,防止敏感元件因电压波动而损坏。 PDZ7.5B,115采用SOD323小型化封装,体积小、功耗低,适合高密度贴装的便携式电子设备。其可靠性高,符合AEC-Q101车规认证,因此也广泛应用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和LED照明驱动电路中,用于电源稳压和瞬态电压抑制。 此外,该型号具备优良的响应速度和耐久性,适合在噪声较大或电磁干扰较强的环境中使用。总体而言,PDZ7.5B,115凭借其稳定的电气性能和紧凑的封装设计,是各类电子系统中实现电压基准与保护的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 7.5V 400MW SOD323稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ7.5B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ7.5B,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 4V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-6456-6 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 7.5V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ7.5B T/R |
| 齐纳电压 | 7.44 V |