Datasheet下载- 型号： PDTD113ZK,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTD113ZK,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTD113ZK,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTD113ZK,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTD113ZK,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTD113ZK,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTD113ZK,115 的晶体管，属于 NXP USA Inc. 生产的 预偏置双极结型晶体管（BJT），主要应用于以下场景： 该器件是一个 带预偏置电阻的NPN晶体管，集成有基极-发射极和基极-集电极的内置电阻器，使其能够直接与数字电路（如微控制器、逻辑门电路等）连接，无需额外配置偏置电路。这大大简化了设计复杂度并节省PCB空间。 常见应用场景包括： 1. 开关电路：用于控制负载（如LED、继电器、小型电机等）的通断，适用于消费类电子产品、家电及工业控制系统。 2. 接口电路：作为逻辑电路与高功率设备之间的驱动接口。 3. 信号放大：在低频、小信号放大电路中使用，如音频前置放大或传感器信号调理。 4. 汽车电子系统：如车身控制模块、车灯控制、电动窗控制等环境，得益于其高可靠性与集成特性。 5. 便携式设备：因体积小、功耗低，适用于电池供电设备中的开关控制应用。 封装形式为 SOT-723 或类似小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局和自动化装配。 总结：PDTD113ZK,115 特别适用于需要简化偏置设计、节省空间、提高稳定性的各类电子控制系统，尤其适合在汽车、工业控制及消费电子领域中作为开关或驱动元件使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTD113ZK,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 50mA，5V |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | 934058969115 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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