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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTC115EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC115EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC115EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PDTC115EMB,315 是一款预偏置双极性晶体管（BJT），其主要应用场景包括： 1. 数字开关电路：该器件内置预偏置电阻，适合用于逻辑控制的开关电路，如微控制器外围驱动电路，简化了外部偏置电路设计。 2. LED驱动：适用于小功率LED指示灯或显示屏的驱动电路，提供稳定的开关控制。 3. 继电器驱动：用于驱动小型继电器，作为继电器线圈的开关控制元件。 4. 接口电路：在数字电路与模拟电路之间作为信号转换或电平转换使用，例如在通信接口中驱动光耦或电平转换模块。 5. 音频放大电路：可应用于低功率音频信号放大，如前置放大器或小信号处理电路。 6. 便携式设备：由于其封装小巧、功耗低，广泛用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等中的信号开关或驱动电路。 7. 工业控制：用于工业自动化设备中的传感器信号处理或执行器控制。 该晶体管集成电阻，提高了电路稳定性并节省PCB空间，适合高密度和高可靠性的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC115EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065953315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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