Datasheet下载- 型号： PDTA144VE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA144VE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA144VE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA144VE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA144VE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA144VE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA144VE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 PNP 型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻（R₁=10 kΩ，R₂=47 kΩ），具备集成电阻网络，无需外接偏置电阻。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）IO口驱动LED、小型继电器或蜂鸣器，简化电路设计； 2. 开关应用：作为低功耗、高速开关，适用于便携式设备中的负载控制（如电源使能、背光调光）； 3. 传感器信号调理：配合光电开关、霍尔传感器等，实现信号整形与电平适配； 4. 电池供电设备：得益于低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）和较小输入电流需求，适合延长纽扣电池或锂电池寿命； 5. 空间受限的消费电子：采用SOT-323（SC-70）超小封装，广泛应用于TWS耳机、智能手环、IoT节点等高密度PCB设计中。 该器件具有±10%电阻精度、高增益（hFE ≥ 80 @ IC=10 mA）、ESD防护（HBM ≥ 4 kV），兼顾可靠性与易用性，是替代传统分立BJT+电阻方案的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA144VE,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 934058811115 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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