图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA124TMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124TMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124TMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124TMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA124TMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA124TMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA124TMB,315是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置R1=220 kΩ（基极-上拉电阻）和R2=220 kΩ（基极-发射极下拉电阻），采用超小型SOT883（0.85×0.65×0.5 mm）封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如MCU、FPGA）GPIO引脚驱动LED、小功率继电器或蜂鸣器，简化外围电路（无需外置偏置电阻）； 2. 高密度便携设备开关控制：凭借微型封装，广泛应用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电源通断控制或信号反相； 3. 电池供电设备的低功耗检测/唤醒电路：利用其低输入电流（典型IIN≈2.5 µA @ VIN=5 V）特性，实现按键检测、传感器使能等常开型开关功能； 4. 替代传统分立BJT+电阻方案：在空间受限设计中提升可靠性与贴装效率，缩短开发周期。 该器件工作结温范围为−55°C至+150°C，符合AEC-Q101车规标准，亦适用于工业级温度环境。需注意其最大VCEO=50 V、IC=100 mA，适用于中低功率、中低电压开关场景，不适用于线性放大或大电流驱动。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA124TMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065936315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PDTA124TMB,315 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商