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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA115TMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115TMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115TMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA115TMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA115TMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115TMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA115TMB,315是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置100kΩ基极-发射极上拉电阻和100kΩ基极-集电极下拉电阻（R1=R2=100kΩ），采用超小型SOT883（0.8×0.6×0.4mm）封装，适用于空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括： • 数字逻辑接口电平转换与信号切换：如微控制器GPIO驱动LED、蜂鸣器或小功率继电器，利用其内置偏置电阻简化外围电路，减少元件数量与PCB面积； • 负载开关与电源管理：在低功耗待机电路中作为高边开关，控制子模块供电（如传感器、RF模块的启停），具备快速关断特性与低饱和压降（VCE(sat)典型值0.1V @ IC=10mA）； • 电池供电设备中的状态指示与反馈电路：例如智能手机/可穿戴设备中用于驱动状态LED，支持1.8V–5.5V宽电压工作，兼容低电压MCU输出； • 工业IoT节点与消费类电子中的简易开关应用：如烟雾报警器、智能门锁、无线充电接收端的使能控制等，凭借AEC-Q101认证（该型号满足车规级可靠性要求），亦可拓展至车载信息娱乐系统中的非安全相关信号调理环节。 其高集成度、小尺寸及稳定开关特性，显著提升设计效率与系统可靠性，特别适合对成本、尺寸和BOM精简有严格要求的应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA115TMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065935315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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