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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA115TMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115TMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115TMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA115TMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA115TMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115TMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTA115TMB,315 的晶体管，属于 Nexperia USA Inc. 生产的 预偏置双极结型晶体管（BJT），其主要应用场景包括： 该器件常用于 便携式电子产品、电源管理电路、逻辑接口电路、开关电路和放大电路 中。由于其内置预偏置电阻，可简化电路设计并减少外部元件数量，特别适合用于 数字开关应用，如驱动 LED、继电器、小型电机或其他逻辑控制电路。此外，它也适用于需要 低功耗、小尺寸和高稳定性的应用场景，例如在 移动设备、消费类电子、工业控制系统和汽车电子 中。 总结来说，PDTA115TMB,315 主要用于低功率开关与信号处理场景，具有集成度高、使用方便、节省空间等优点。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA115TMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065935315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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