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产品简介:
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PDTA114TMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(Digital Transistor, DTR),属于带内置偏置电阻的 NPN 型预偏置双极结型晶体管(BRT)。其内部集成 R1=10 kΩ(基极-输入)和 R2=10 kΩ(基极-发射极)电阻,具备 1/10 的典型电流增益(hFE≈160–400,但作为开关使用时等效β较低),适合逻辑电平直接驱动。 主要应用场景包括: ✅ 微控制器(MCU)I/O口驱动:可直接由 3.3V 或 5V 逻辑电平(如STM32、Arduino、ESP32)控制,无需外置基极电阻,简化PCB设计; ✅ LED开关与指示灯控制:常用于低功耗LED背光、状态指示等负载(≤100mA集电极电流); ✅ 小功率继电器/蜂鸣器驱动:驱动线圈电流在额定范围(ICmax = 100 mA,VCEO = 50 V)内; ✅ 电平转换与信号开关:在低压逻辑与稍高电压(如5V/12V)负载之间实现隔离式通断控制; ✅ 消费电子与家电控制板:如遥控器、智能插座、温控面板中的按键扫描、电源使能(EN)信号开关等。 该器件采用超小型 SOT-723 封装(尺寸仅 1.2×0.8×0.5 mm),适合高密度贴片应用;具备±5%电阻精度、良好温度稳定性及AEC-Q101可靠性认证(部分批次),亦可用于车规级辅助电路(非安全关键系统)。 注:不适用于线性放大或高频模拟电路,仅推荐作数字开关使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA114TMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B(0.6x1) |
| 其它名称 | 934065921315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |