Datasheet下载- 型号： PD84010S-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD84010S-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD84010S-E价格参考。STMicroelectronicsPD84010S-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD84010S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD84010S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 PD84010S-E 是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，主要用于高频信号放大和射频功率处理。该器件适用于工作在VHF（甚高频）和UHF（特高频）频段的无线通信系统。 典型应用场景包括：工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如射频加热、等离子生成、射频激励源等；无线通信基础设施中的射频功率放大，例如小功率基站或中继设备；还可用于射频识别（RFID）系统、小型广播发射装置以及测试测量设备中的射频信号放大单元。 PD84010S-E 具备良好的热稳定性和较高的效率，在连续波（CW）和脉冲模式下均能稳定工作，适合对可靠性和耐用性要求较高的工业环境。其封装设计有利于散热，便于集成到紧凑型射频模块中。此外，该器件支持高电压操作，具备较强的抗负载失配能力，可在复杂电磁环境中保持稳定性能。 综上所述，PD84010S-E 主要应用于需要中等射频功率放大的工业与通信设备中，尤其适合对效率和可靠性有较高要求的嵌入式射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD84010S-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 其它名称 | PD84010SE |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 8A |
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