Datasheet下载- 型号： PBSS8110X,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS8110X,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS8110X,135价格参考￥0.61-￥0.61。NXP SemiconductorsPBSS8110X,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS8110X,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS8110X,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS8110X,135 的晶体管属于双极型晶体管（BJT）- 单一类别，其主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 开关应用 - 电源管理：该型号的 BJT 可用于各种开关电路中，例如 DC-DC 转换器、电压调节器等。它能够快速切换状态，实现高效的电源管理。 - 负载开关：在需要控制电流流向的场景中，PBSS8110X,135 可作为负载开关，用于开启或关闭特定电路。 2. 信号放大 - 音频放大：该晶体管可用于低功率音频信号的放大，适合小型设备中的声音处理模块。 - 传感器信号放大：在工业和消费电子领域，可用于放大来自传感器的微弱信号，以提高检测精度。 3. 驱动应用 - LED 驱动：适用于驱动小功率 LED，特别是在需要精确电流控制的情况下。 - 继电器驱动：可以用来控制继电器的通断，从而实现对高功率设备的间接控制。 4. 保护电路 - 过流保护：通过设计合适的电路，PBSS8110X,135 可用于检测并限制过大的电流，保护下游电路。 - 短路保护：在某些应用中，该晶体管可以用作短路保护元件，防止因意外短路导致设备损坏。 5. 消费电子产品 - 该型号的晶体管广泛应用于手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中，用于信号处理、电源管理和外围设备控制。 6. 工业与汽车领域 - 在工业自动化和汽车电子中，PBSS8110X,135 可用于控制小型电机、传感器接口以及通信电路中的信号调理。 总结 PBSS8110X,135 晶体管凭借其高性能和可靠性，适用于多种低功耗、高速切换和信号放大的场景。具体应用需根据其电气参数（如最大集电极电流、电压和功率）以及工作环境要求进行选择和设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 1A LOW SAT SOT89两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS8110X,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS8110X,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 250mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-7326-6 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | UPAK |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 500 mA at 10 V, 80 at 1 A at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 零件号别名 | /T3 PBSS8110X |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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