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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS8110X,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS8110X,135价格参考¥0.61-¥0.61。NXP SemiconductorsPBSS8110X,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS8110X,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS8110X,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS8110X,135 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),具有高增益(hFE 典型值 300@Ic=100mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 120mV@Ic=100mA, Ib=10mA)及 100V VCEO 额定电压,采用小型 SOT89-3 表面贴装封装。其主要应用场景包括: 1. 中功率开关应用:适用于电源管理中的负载开关、LED 驱动电路(如背光或指示灯控制)、继电器驱动等,可高效驱动数十至百毫安级负载; 2. 线性稳压与基准电路:凭借良好增益和热稳定性,常用于低压差(LDO)稳压器的调整管或反馈环路中的放大/检测级; 3. 工业与汽车电子接口电路:在车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)中,用作电平转换、信号缓冲或传感器信号调理的有源器件(符合 AEC-Q101 认证,支持汽车级应用); 4. 消费类电子电源管理:如充电器、适配器中的次级侧控制、过流保护电路或 PWM 驱动级。 该器件兼顾速度(fT ≈ 175MHz)、效率与可靠性,适合空间受限且需中等电流切换能力(Ic(max)=500mA)的便携式及嵌入式系统。不推荐用于高频射频放大或大功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 1A LOW SAT SOT89两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS8110X,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS8110X,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 250mA,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-7326-6 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | UPAK |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 500 mA at 10 V, 80 at 1 A at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 零件号别名 | /T3 PBSS8110X |
| 频率-跃迁 | 100MHz |