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  • 型号: PBSS5350T,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5350T,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5350T,215价格参考¥0.42-¥0.58。NXP SemiconductorsPBSS5350T,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS5350T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5350T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS5350T,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 NPN 型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的高性能器件。该晶体管采用 SOT223-3 封装,具有良好的热性能和较高的电流承载能力,适用于空间受限但需要高效散热的设计。

其主要应用场景包括:  
1. 电源管理电路:常用于低压直流-直流转换器、负载开关和电源使能控制,因其低饱和压降(VCE(sat))可提高能效。  
2. LED 驱动:适合驱动中高亮度 LED,广泛应用于照明系统和背光控制。  
3. 电机驱动与继电器控制:作为开关元件,用于小型电机或继电器的驱动电路,具备可靠的开关响应和耐久性。  
4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能家居设备中的信号切换与功率控制模块。  
5. 工业控制与汽车电子:由于其工作温度范围宽(-55°C 至 +150°C),也适用于车载充电系统、传感器接口和车载信息娱乐系统的电源控制部分。

PBSS5350T,215 具有高电流增益和快速开关特性,同时符合 RoHS 标准,支持无铅焊接工艺,适合自动化生产。凭借 Nexperia 在半导体领域的品质保障,该器件在可靠性与性价比之间实现了良好平衡,是中小功率开关和放大应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 50V 2A SOT23两极晶体管 - BJT PNP 50V 2A LO VCESAT

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5350T,215-

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产品型号

PBSS5350T,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

390mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 1A,2V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-4169-6

功率-最大值

540mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 5 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

200 at 100 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 50 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极连续电流

- 2 A

零件号别名

PBSS5350T T/R

频率-跃迁

100MHz

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