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型号： PBSS5330PA,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PBSS5330PA,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5330PA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5330PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5330PA,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 30V 3A 165MHz 2.1W 表面贴装 3-HUSON（2x2）。您可以下载PBSS5330PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5330PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS5330PA,115 是 NXP USA Inc. 推出的 PNP 型双极结型晶体管（BJT），具有高增益（hFE 典型值 300@IC=100mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 140mV@IC=100mA, IB=10mA）和 300MHz 高频特性，采用小型 SOT-23 表面贴装封装。

其典型应用场景包括：  
1. 中小功率开关电路：如电源管理中的负载开关、LED 驱动控制、继电器/蜂鸣器驱动等，得益于低饱和压降与快速开关性能；  
2. 信号放大与电平转换：适用于便携式设备中低电压（如 3.3V/5V 系统）下的音频前级、传感器信号调理及逻辑电平适配；  
3. 电池供电设备：如智能手机、可穿戴设备、IoT 传感器节点等对尺寸、功耗和效率敏感的应用，SOT-23 封装节省空间，低待机电流提升续航；  
4. 工业控制接口：用于 PLC 输入/输出缓冲、光电耦合器后级驱动或微控制器 GPIO 扩展驱动能力。

该器件工作结温范围为 –65°C 至 +150°C，具备良好热稳定性与可靠性，符合 AEC-Q101（汽车级）标准，亦可用于车用电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块、风扇调速等）。不适用于大电流（>200mA 连续）或高压（>30V）主功率场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 30V 3A SOT1061两极晶体管 - BJT 30V 3A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5330PA,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PBSS5330PA,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	320mV @ 300mA，3A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	175 @ 1A，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	3-HUSON
其它名称	568-6416-1
功率-最大值	2.1W
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	- 6 V
商标	NXP Semiconductors
增益带宽产品fT	165 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	3-PowerUDFN
封装/箱体	SOT-1061
工厂包装数量	3000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	2.1 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	- 5 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html
电压-集射极击穿（最大值）	30V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	100nA
直流电流增益hFE最大值	450
直流集电极/BaseGainhfeMin	100
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 30 V
集电极—基极电压VCBO	- 30 V
集电极连续电流	- 3 A
频率-跃迁	165MHz