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型号： PBSS5330PA,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PBSS5330PA,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5330PA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5330PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5330PA,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 30V 3A 165MHz 2.1W 表面贴装 3-HUSON（2x2）。您可以下载PBSS5330PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5330PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的型号 PBSS5330PA,115 是一款双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该器件主要设计用于需要高效、高可靠性和良好热稳定性的应用场景。

PBSS5330PA,115 是PNP型晶体管，采用SOT223封装，具备较高的集电极电流能力和良好的导通性能，适用于中等功率的开关和放大应用。其典型应用场景包括：

1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关或稳压电路中，实现高效的功率控制。  
2. 电机驱动：在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件使用。  
3. 汽车电子：适用于车载系统，如车身控制模块、灯光控制或传感器接口电路。  
4. 工业控制：用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化设备中的信号放大与开关控制。  
5. 消费类电子产品：如电源适配器、充电器、LED驱动等需要中等功率晶体管的场合。  

该晶体管具有低饱和压降、高电流增益和良好的热稳定性，适合在要求高效能和稳定性的应用中替代达林顿晶体管，从而减少功耗和发热。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 30V 3A SOT1061两极晶体管 - BJT 30V 3A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5330PA,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PBSS5330PA,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	320mV @ 300mA，3A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	175 @ 1A，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	3-HUSON
其它名称	568-6416-1
功率-最大值	2.1W
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	- 6 V
商标	NXP Semiconductors
增益带宽产品fT	165 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	3-PowerUDFN
封装/箱体	SOT-1061
工厂包装数量	3000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	2.1 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	- 5 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html
电压-集射极击穿（最大值）	30V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	100nA
直流电流增益hFE最大值	450
直流集电极/BaseGainhfeMin	100
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 30 V
集电极—基极电压VCBO	- 30 V
集电极连续电流	- 3 A
频率-跃迁	165MHz