Datasheet下载- 型号： PBSS5160V,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5160V,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5160V,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5160V,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS5160V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5160V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号 PBSS5160V,115 是一款双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管，主要用于功率开关和放大电路中。其典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、负载开关等电源管理模块中，作为高效开关元件使用。 2. 电机驱动与继电器控制：在小型电机、继电器或电磁阀的驱动电路中，作为开关控制元件，实现对负载的通断控制。 3. 汽车电子系统：广泛应用于汽车照明控制、车载充电系统、ECU（电子控制单元）中的信号放大与开关控制。 4. 工业自动化设备：用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口电路、工业继电器驱动等场合。 5. 消费类电子产品：如充电器、适配器、LED驱动电路中，作为功率开关或电流放大元件。 该晶体管具有高电流能力（Ic可达100mA以上）、低饱和压降、响应速度快等优点，适合中低功率开关与放大应用。同时，其SOT-23封装形式便于贴片安装，适用于空间受限的高密度PCB设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 60V 1A LOW SAT SOT666两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5160V,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5160V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 330mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7310-1 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 220 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 900mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 1 mA at 5 V, 150 at 500 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 零件号别名 | PBSS5160V T/R |
| 频率-跃迁 | 220MHz |
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