Datasheet下载- 型号： PBSS4420D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4420D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4420D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4420D,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4420D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4420D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4420D,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），具有高增益（hFE 典型值 200–450）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 0.14 V @ IC = 2 A）、20 V 集电极-发射极击穿电压（VCEO）及 2 A 连续集电极电流能力，采用小型 SOT-457（6-pin SC-74）封装，集成基极-发射极电阻（R1 = R2 = 10 kΩ），属内置偏置型晶体管（BRT）。 其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电路：如 LED 驱动（背光、指示灯）、继电器/电磁阀驱动、风扇控制等，得益于低饱和压降与快速开关特性； 2. 数字逻辑接口与电平转换：可直接由 3.3 V 或 5 V MCU GPIO 驱动，无需外置基极电阻，简化 PCB 设计并提升可靠性； 3. 电源管理模块：用于 DC-DC 转换器中的次级侧同步整流控制、负载开关或过流保护电路； 4. 工业与消费类电子：如智能电表、家电控制板、打印机驱动电路等对空间、成本和可靠性要求较高的场合。 该器件符合 AEC-Q100（Grade 2）汽车级标准，亦适用于车载信息娱乐系统中的非安全关键信号切换。其内置电阻结构有效防止误触发，增强抗干扰能力，适合高密度、自动化贴装生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 20V 4A LOW SAT 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBSS4420D,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.1V @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7304-2 |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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