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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4230T,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4230T,215价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4230T,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS4230T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4230T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4230T,215 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),具有高增益(hFE 典型值 300@100mA)、低饱和压降(VCE(sat) 低至 0.16V@100mA)及良好热稳定性,采用小型 SOT-23 表面贴装封装。其典型应用场景包括: 1. 中小功率开关电路:广泛用于消费电子、家电(如电机驱动、LED 背光控制、继电器/电磁阀驱动)中的高效低压开关,支持 30V VCEO 和 300mA IC 连续工作; 2. 线性放大与信号调理:适用于音频前置放大、传感器信号缓冲等中低频(fT ≈ 220MHz)模拟应用; 3. 电源管理模块:在 DC-DC 转换器(如升压/降压拓扑)中作驱动级或电流检测开关; 4. 工业控制接口:作为微控制器(如 MCU、ARM)GPIO 的电平转换与负载驱动器件,实现逻辑电平→功率输出的可靠隔离与增强。 该器件具备 AEC-Q101 认证(车规级可靠性),亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对温度(-65°C ~ +150°C)和长期稳定性要求较高的场景。其小尺寸、高效率和成熟工艺使其成为成本敏感型嵌入式系统的优选通用型 BJT。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 30V 2A SOT23两极晶体管 - BJT NPN 30V 2A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4230T,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4230T,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 320mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 1A,2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-4155-2 |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 230 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 350 at 100 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 零件号别名 | PBSS4230T T/R |
| 频率-跃迁 | 230MHz |