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  • 型号: PBSS302NX,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS302NX,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS302NX,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS302NX,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS302NX,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 5.3A 140MHz 2.1W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载PBSS302NX,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS302NX,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS302NX,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型小信号双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 表面贴装封装,具有低饱和压降(VCE(sat) 典型值仅 0.14 V @ IC=500 mA, IB=50 mA)、高直流电流增益(hFE = 160–400)、快速开关特性及良好热稳定性。其典型应用场景包括:

• 中小功率开关电路:广泛用于消费电子(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的 LED 驱动、蜂鸣器控制、继电器/负载切换等,凭借低饱和压降提升能效、减少发热;  
• 电源管理模块:在 DC-DC 转换器、LDO 后级使能控制、电池保护电路中用作高效开关或电流检测开关;  
• 信号放大与电平转换:适用于低频模拟前端(如传感器接口、音频前置放大)、微控制器 GPIO 扩展驱动(如驱动逻辑电平不匹配的外设);  
• 工业与汽车电子:满足 AEC-Q101 认证(该型号为车规级版本),可用于车身控制模块(BCM)、LED 车灯调光、风扇控制等对可靠性要求较高的场景。

该器件支持无铅回流焊,ESD 防护达 ±2 kV(HBM),具备良好的抗干扰能力与长期稳定性,适合高密度、低成本、高可靠性的嵌入式系统设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 20V 5.3A SOT89

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品型号

PBSS302NX,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 265mA,5.3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 2A,2V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367

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供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

568-4173-2
934059008115
PBSS302NX T/R
PBSS302NX T/R-ND

功率-最大值

2.1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-243AA

晶体管类型

NPN

标准包装

1,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5.3A

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

140MHz

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