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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1805F-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1805F-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SD1805F-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD1805F-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD1805F-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SD1805F-TL-E是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极性晶体管(BJT),常用于中功率放大和开关应用。该晶体管具有良好的电流放大性能和较高的工作频率特性,适用于需要中等功率处理能力的电子电路。 主要应用场景包括: 1. 音频放大电路:如前置放大器、音频功率放大模块,适用于音响设备、电视机和音响系统等。 2. 电源开关电路:用于DC-DC转换器、电源管理模块中,作为开关元件控制电流流通。 3. 马达驱动电路:在小型电机或风扇控制电路中作为驱动开关使用。 4. 数字逻辑电路中的驱动元件:用于驱动继电器、LED显示屏或小型电磁阀等负载。 5. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器信号调理电路和自动控制模块。 该晶体管采用小功率封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 5A 20V TP-FA两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1805F-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1805F-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 60mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | SC-63 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 系列 | 2SD1805 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.22 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |