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Datasheet下载- 型号： PBLS2003S,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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PBLS2003S,115产品简介：
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PBLS2003S,115 是 NXP USA Inc. 推出的集成双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含7路独立的NPN达林顿驱动单元（带内置基极-发射极电阻和基极-集电极钳位二极管），采用SO-16封装。其典型应用场景包括： 1. 继电器/电磁阀驱动：高电流增益（hFE > 1000）和高达500mA输出能力，适合直接驱动中小型机电负载，简化外围电路； 2. LED/数码管/点阵屏驱动：可作为共阴极或共阳极段式显示的灌电流/拉电流驱动器，支持多路并行控制； 3. 工业I/O接口与PLC模块：集成预偏置电阻（RIN=2.2kΩ，RIS=2.2kΩ），兼容TTL/CMOS逻辑电平（如3.3V/5V微控制器），提高抗干扰性与系统可靠性； 4. 电机控制辅助电路：用于步进电机细分驱动、直流电机方向控制等场景中的逻辑电平转换与功率放大环节； 5. 打印机、扫描仪等外设驱动：广泛应用于办公设备中对多个执行器件（如打印头、进纸电机、传感器信号调理）的集中驱动。 该器件具备热关断保护、ESD防护（HBM > 2kV）及宽工作温度范围（−40°C 至 +125°C），适用于工业控制、消费电子及汽车电子（非安全关键系统）等环境。需注意：最大连续输出电流为500mA/通道，峰值电流可达1A（脉宽受限），设计时应合理降额并考虑散热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 8SO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS2003S,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 355mV @ 300mA， 3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-7231-2 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
