Datasheet下载- 型号： NSS35200CF8T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS35200CF8T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS35200CF8T1G价格参考。ON SemiconductorNSS35200CF8T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS35200CF8T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS35200CF8T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS35200CF8T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道双极结型晶体管（BJT），属于单个BJT器件，广泛应用于中低功率开关和信号放大场景。该器件具有高电流增益、低饱和电压和优良的开关特性，适合在便携式电子设备和高效率电源管理电路中使用。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：用于DC-DC转换器、负载开关或继电器驱动，实现高效电能控制； 2. LED驱动：在背光控制或照明系统中作为恒流源的开关元件； 3. 信号放大：适用于小信号音频或传感器信号的线性放大； 4. 逻辑接口与电平转换：在数字电路中连接不同电压逻辑系统，如微控制器与外围设备之间的信号缓冲； 5. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、智能家居设备等对空间和功耗敏感的应用中。 其采用SOT-23F小型表面贴装封装，节省PCB空间，适合高密度组装。同时，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、汽车电子（非动力系统）及便携式设备等多种环境。总体而言，NSS35200CF8T1G是一款高性能、高可靠性的通用型BJT，特别适用于需要快速开关响应和低功耗运行的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSS35200CF8T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 20mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1.5A，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=18613 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NSS35200CF8T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 635mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 35V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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