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PBHV8540T,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV8540T,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV8540T,215价格参考。NXP SemiconductorsPBHV8540T,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 500mA 30MHz 300mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PBHV8540T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBHV8540T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBHV8540T,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关应用 - 电源管理:可用于简单的开关电路中,控制负载的通断。例如,在低功率设备中作为开关元件,用于驱动继电器、LED 或小型电机。 - 信号切换:在音频或数据信号切换中,用作信号路径的选择器。 2. 放大应用 - 音频放大:适用于低功率音频放大器的设计,如耳机放大器或小型扬声器驱动电路。 - 信号放大:可以用于放大弱电信号,例如传感器输出信号的初步放大。 3. 保护电路 - 过流保护:通过设计合适的电路,PBHV8540T,215 可以用作过流检测和保护元件。 - 逆向电流保护:防止电池或其他电源组件因反接而损坏。 4. 汽车电子 - Nexperia 的产品通常具有良好的可靠性和耐高温性能,因此 PBHV8540T,215 可能适用于一些汽车电子系统中的低功率控制电路,例如车灯控制、雨刷电机驱动等。 5. 消费电子 - 在家用电器或便携式设备中,可以用作简单的驱动或控制元件,例如遥控器、玩具、小型家电等。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域,可以用于简单的逻辑控制或驱动小功率执行器。 特性总结 PBHV8540T,215 具有以下特点: - 高可靠性:适合需要长期稳定工作的场景。 - 紧凑封装:便于集成到小型化设计中。 - 低功耗:适用于对功耗要求较高的应用。 具体的应用场景还需要根据其电气参数(如集电极-发射极电压、最大电流、增益等)以及实际设计需求来确定。建议参考官方数据手册以获取更详细的规格信息。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 400V 500MA SOT23两极晶体管 - BJT HIGH VOLTAGE BISS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV8540T,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBHV8540T,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 60mA,300mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10 @ 300mA,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6380-2 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 at 50 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 500 V |
| 集电极连续电流 | 500 mA |
| 零件号别名 | PBHV8540T T/R |
| 频率-跃迁 | 30MHz |