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  • 型号: PBHV8540T,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBHV8540T,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV8540T,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV8540T,215价格参考。NXP SemiconductorsPBHV8540T,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 500mA 30MHz 300mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PBHV8540T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBHV8540T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBHV8540T,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 开关应用
   - 电源管理:可用于简单的开关电路中,控制负载的通断。例如,在低功率设备中作为开关元件,用于驱动继电器、LED 或小型电机。
   - 信号切换:在音频或数据信号切换中,用作信号路径的选择器。

 2. 放大应用
   - 音频放大:适用于低功率音频放大器的设计,如耳机放大器或小型扬声器驱动电路。
   - 信号放大:可以用于放大弱电信号,例如传感器输出信号的初步放大。

 3. 保护电路
   - 过流保护:通过设计合适的电路,PBHV8540T,215 可以用作过流检测和保护元件。
   - 逆向电流保护:防止电池或其他电源组件因反接而损坏。

 4. 汽车电子
   - Nexperia 的产品通常具有良好的可靠性和耐高温性能,因此 PBHV8540T,215 可能适用于一些汽车电子系统中的低功率控制电路,例如车灯控制、雨刷电机驱动等。

 5. 消费电子
   - 在家用电器或便携式设备中,可以用作简单的驱动或控制元件,例如遥控器、玩具、小型家电等。

 6. 工业控制
   - 在工业自动化领域,可以用于简单的逻辑控制或驱动小功率执行器。

 特性总结
PBHV8540T,215 具有以下特点:
- 高可靠性:适合需要长期稳定工作的场景。
- 紧凑封装:便于集成到小型化设计中。
- 低功耗:适用于对功耗要求较高的应用。

具体的应用场景还需要根据其电气参数(如集电极-发射极电压、最大电流、增益等)以及实际设计需求来确定。建议参考官方数据手册以获取更详细的规格信息。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 400V 500MA SOT23两极晶体管 - BJT HIGH VOLTAGE BISS

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV8540T,215-

数据手册

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产品型号

PBHV8540T,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 60mA,300mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 300mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-6380-2
934061414215
PBHV8540T T/R
PBHV8540T T/R-ND
PBHV8540T,215-ND

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

30 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

100 at 50 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

400 V

集电极—基极电压VCBO

500 V

集电极连续电流

500 mA

零件号别名

PBHV8540T T/R

频率-跃迁

30MHz

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