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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB33CAT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB33CAT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB33CAT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载P6SMB33CAT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有P6SMB33CAT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
P6SMB33CAT3G是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于SMB封装的单向TVS器件,击穿电压标称值为33V(VBR ≈ 36.7–40.6V),最大钳位电压约53.3V(IPP=11.3A时),峰值脉冲功率达600W(10/1000μs波形)。 其典型应用场景包括: - 电源输入端口保护:用于工业控制、通信设备或消费电子的DC输入(如24V/36V系统),抵御雷击感应浪涌、开关噪声及电源跌落引起的反向过压。 - 信号线/数据线防护:配合前端滤波电路,保护CAN总线、RS-485、电源监控信号等中低速接口免受ESD(±30kV接触放电)和EFT(电气快速瞬变)干扰。 - 汽车电子辅助应用:虽非AEC-Q200认证型号,但在非安全关键的车载附件(如LED驱动器、车身控制模块外围电路)中可提供基础浪涌防护。 - 适配器与电源模块:嵌入AC-DC或DC-DC转换器次级侧,防止负载突变或反馈环路异常导致的输出过压损坏后级IC。 需注意:该器件为单向结构,仅适用于直流正向偏置电路;实际设计中应结合PCB布局(短而宽的走线)、匹配去耦电容及合理接地,以发挥最佳防护性能。不推荐用于交流线路或高可靠性车规主系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 600W Bidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB33CAT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | P6SMB33CAT3G |
| 不同频率时的电容 | 305pF @ 1MHz |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SMB |
| 其它名称 | P6SMB33CAT3GOSDKR |
| 击穿电压 | 31.4 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
| 封装/箱体 | DO-214AA |
| 尺寸 | 3.81(Max) mm W x 4.57 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 13.2 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 28.2 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 31.4V |
| 电压-反向关态(典型值) | 28.2V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 45.7V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 13.2A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | P6SMB11CAT3G |
| 钳位电压 | 45.7 V |