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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 传感器,变送器光电子产品 |
| 描述 | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18光电晶体管 Photo Transistor |
| 产品分类 | 光学传感器 - 光电晶体管光学探测器和传感器 |
| 品牌 | TT Electronics/Optek Technology |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光电晶体管,Optek / TT Electronics OP800B* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | OP800B |
| 上升时间 | 7 us |
| 下降时间 | 7 us |
| 产品 | Phototransistors |
| 产品种类 | 光电晶体管 |
| 其它名称 | 365-1917 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 商标 | Optek / TT Electronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 |
| 封装/箱体 | TO-18 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 开启状态集电极最大电流 | 5.4 mA |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 朝向 | 顶视图 |
| 标准包装 | 25 |
| 波长 | 890nm |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-暗(Id)(最大值) | 100nA |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 类型 | NPN Silicon Phototransistor |
| 视角 | - |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |