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  • 型号: ON5234,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ON5234,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ON5234,118价格参考。NXP SemiconductorsON5234,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ON5234,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ON5234,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON5234,118 是由 NXP USA Inc.(恩智浦)设计的一款射频 MOSFET 晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺的 RF 功率晶体管,专为高频、中功率射频放大应用优化。其典型工作频率范围为 10 MHz 至 1 GHz,适用于 HF/VHF/UHF 频段。

主要应用场景包括:  
- 宽带射频功率放大器:如无线通信基站的末级驱动级或小型蜂窝(Small Cell)中的中功率输出级;  
- ISM 频段设备:用于 13.56 MHz(RFID)、27.12 MHz、40.68 MHz 及 900 MHz 等工业、科学和医疗频段的射频能量发生器,如等离子体生成、感应加热与医疗射频消融设备;  
- 模拟/数字调制系统:支持 AM、FM、FSK、QPSK 等调制方式,适用于窄带/宽带无线数据链路、遥控遥测、业余无线电(Ham Radio)发射模块;  
- 汽车电子测试设备:在车载通信(如 V2X 测试)及 EMC 射频抗扰度测试信号源中用作激励放大级;  
- 实验室与教学用射频开发板:因封装(SOT403A/HSOF8)便于贴装、偏置简单、增益稳定(典型增益 >15 dB @ 500 MHz),常用于高校射频电路实验平台。

需注意:该器件为增强型 N 沟道 LDMOS,需外部负压关断(VGS(th) ≈ –2.5 V),典型静态工作点建议 IDQ = 50–100 mA,VDS = 12–28 V,须配合匹配网络与散热设计以保障线性度与可靠性。不适用于毫米波或超大功率(>10 W 连续波)场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF SOT404 D2PAK

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

产品图片

产品型号

ON5234,118

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

934056766118

功率-输出

-

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

-

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

晶体管类型

-

标准包装

800

电压-测试

-

电压-额定

-

电流-测试

-

频率

-

额定电流

-

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