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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ON5234,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ON5234,118价格参考。NXP SemiconductorsON5234,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ON5234,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ON5234,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON5234,118 是由 NXP USA Inc.(恩智浦)设计的一款射频 MOSFET 晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺的 RF 功率晶体管,专为高频、中功率射频放大应用优化。其典型工作频率范围为 10 MHz 至 1 GHz,适用于 HF/VHF/UHF 频段。 主要应用场景包括: - 宽带射频功率放大器:如无线通信基站的末级驱动级或小型蜂窝(Small Cell)中的中功率输出级; - ISM 频段设备:用于 13.56 MHz(RFID)、27.12 MHz、40.68 MHz 及 900 MHz 等工业、科学和医疗频段的射频能量发生器,如等离子体生成、感应加热与医疗射频消融设备; - 模拟/数字调制系统:支持 AM、FM、FSK、QPSK 等调制方式,适用于窄带/宽带无线数据链路、遥控遥测、业余无线电(Ham Radio)发射模块; - 汽车电子测试设备:在车载通信(如 V2X 测试)及 EMC 射频抗扰度测试信号源中用作激励放大级; - 实验室与教学用射频开发板:因封装(SOT403A/HSOF8)便于贴装、偏置简单、增益稳定(典型增益 >15 dB @ 500 MHz),常用于高校射频电路实验平台。 需注意:该器件为增强型 N 沟道 LDMOS,需外部负压关断(VGS(th) ≈ –2.5 V),典型静态工作点建议 IDQ = 50–100 mA,VDS = 12–28 V,须配合匹配网络与散热设计以保障线性度与可靠性。不适用于毫米波或超大功率(>10 W 连续波)场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF SOT404 D2PAK |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ON5234,118 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 934056766118 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 晶体管类型 | - |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |