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详细数据请看参考数据手册
- 型号： ON5233,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ON5233,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ON5233,118价格参考。NXP SemiconductorsON5233,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ON5233,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ON5233,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON5233,118 是由 NXP USA Inc.（恩智浦美国公司）设计的一款射频（RF）MOSFET 晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺的N沟道增强型器件，采用SOT403A（SOT-669）封装。其典型应用场景聚焦于中低功率、高频段的射频功率放大。 该器件工作频率可达1 GHz以上（典型应用在400–960 MHz频段），具备高增益、高效率和良好线性度，适用于： ✅ 无线通信基础设施：如小型蜂窝基站（pico/femtocell）、分布式天线系统（DAS）中的末级或驱动级功率放大器； ✅ 工业与物联网射频模块：如RFID读写器、无线传感器网络（WSN）发射前端； ✅ 广播与数字电视发射：用于UHF频段（如470–862 MHz）的低功耗调制放大器； ✅ 业余无线电与测试设备：作为实验室射频信号源或宽带激励放大器的输出级。 需注意：ON5233,118 为分立式射频晶体管，非集成前端模块（FEM），实际应用中需配合匹配网络、偏置电路及热管理设计（推荐PCB铜箔散热）。其118后缀代表编带卷装（Tape & Reel），符合自动化贴片生产要求。 （注：该型号已进入NXP产品生命周期后期，部分渠道显示为“Not Recommended for New Designs”，新项目建议评估替代型号如MMRF1022或MHT1001系列。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF SOT428DPAK |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ON5233,118 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 934056765118 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | - |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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