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Datasheet下载- 型号： NZH12B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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NZH12B,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NZH12B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NZH12B,115价格参考。NXP SemiconductorsNZH12B,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 12V 500mW ±3% Surface Mount SOD-123F。您可以下载NZH12B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NZH12B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NZH12B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款表面贴装（SOD-323 封装）齐纳二极管，标称稳压值为 12 V（典型值），容差 ±5%，最大功率耗散为 300 mW，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC 参考源、运放偏置电路）提供稳定基准电压； 2. 过压保护：与 TVS 或限流电阻配合，用于保护微控制器 I/O 口、通信接口（如 I²C、UART）免受瞬态过压（如 ESD、感应浪涌）损害； 3. 电源轨钳位：在 12 V 供电系统中钳位电压，防止后级器件因电压波动而误动作或损坏； 4. 反馈电路：在开关电源（如 DC-DC 转换器）的光耦反馈路径中，辅助设定输出电压精度； 5. 工业与汽车电子：适用于车规兼容设计（符合 AEC-Q101 预处理要求），常用于车身控制模块、仪表盘、LED 驱动电源等对可靠性要求较高的场合。 该器件具备优异的长期稳定性、低漏电流（@ VR=9.6 V, typ. 50 nA）及快速响应特性，适合空间受限、需高精度稳压的便携式及嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 500MW SOD123F稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/NZH_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors NZH12B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NZH12B,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 40nA @ 9V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6354-1 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 40 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 12 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 3 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 12 欧姆 |
| 齐纳电压 | 11.735 V |
